各地“十四五”集成电路产业发展规划和产业规模目标

2023-09-30 10:19:03

　　江南体育app下载2021年是“十四五”的开元之年，集成电路行业作为规划纲要重点发展方向，成为各地争相发展新地标。2021年各地发布了集成电路产业发展规划和产业规模目标。

　　芯思想研究院整理了全国省/自治区/直辖市及集成电路发展重要城市的相关集成电路规划和产业规模目标，以供参考。

　　根据芯思想研究院的统计和估算，到2025年我国集成电路产业规模（设计、制造、封测、设备、材料）将超过40000亿元。

　　到2025年集成电路产业规模预估超过千亿级的省/自治区/直辖市有11个，分别是（按拼音排序）：安徽、北京、福建、广东、湖北、江苏、上海、山东、陕西、四川、浙江。百亿级的省/自治区/直辖市有7个，分别是（按拼音排序）：重庆、甘肃、河北、湖南、江西、辽宁、天津。

　　到2025年集成电路产业规模超过千亿级的城市有17个，分别是（按拼音排序）：北京、成都、广州、合肥、宁波、南京、南通、泉州、上海、绍兴、深圳、苏州、武汉、无锡、厦门、西安、珠海。百亿级城市有15个，分别是（按拼音排序）：长沙、常州、池州、重庆、大连、杭州、济南、南昌、青岛、沈阳、石家庄、天津、天水、徐州、株洲。

　　到2025年集成电路产业规模（设计、制造、封测、设备、材料）超过千亿级的产业园区有9个，分别是：（按拼音排序）北京亦庄（经开区）、成都高新区、南京江北新区、泉州芯谷、上海临港新片区、上海张江园区、绍兴滨海新区、无锡高新区、西安高新区。

　　2021年8月18日，北京市人民政府发布《北京市“十四五”时期高精尖产业发展规划》（京政发〔2021〕21号）。

　　《发展规划》指出以自主突破、协同发展为重点，构建集设计、制造、装备和材料于一体的集成电路产业创新高地，打造具有国际竞争力的产业集群。重点布局北京经济技术开发区、海淀区、顺义区。

　　（1）集成电路创新平台。以领军企业为主体、科研院所为支撑，建立国家级集成电路创新平台；支持新型存储器、CPU、高端图像传感器等重大战略领域基础前沿技术的研发和验证，形成完整知识产权体系。

　　（2）集成电路设计。重点布局海淀区，聚力突破量大面广的国产高性能CPU、FPGA、DSP等通用芯片及EDA工具的研发和产业化；面向消费电子、汽车电子、工业互联网、超高清视频等领域发展多样化多层次行业应用芯片；支持技术领先的设计企业联合产业链上下游建设产业创新中心。

　　（3）集成电路制造。坚持主体集中、区域集聚，围绕国家战略产品需求，支持北京经济技术开发区、顺义区建设先进特色工艺、微机电工艺和化合物半导体制造工艺等生产线）集成电路装备。支持北京经济技术开发区建设北京集成电路装备产业园，建设国内领先的装备、材料验证基地，打造世界领先的工艺装备平台企业和技术先进的光刻机核心部件及装备零部件产业集群；加快完善装备产业链条，提升成熟工艺产线成套化装备供给能力以及关键装备和零部件保障能力。

　　抢先布局一批未来前沿产业。包括：（1）量子信息领域完善量子信息科学生态体系，加强量子材料工艺、核心器件和测控系统等核心技术攻关，推进国际主流的超导、拓扑和量子点量子计算机研制，开展量子保密通信核心器件集成化研究，抢占量子国际竞争制高点。

　　（2）光电子领域积极布局高数据容量光通信技术，攻克光传感、大功率激光器等方向材料制备、器件研制、模块开发等关键技术，推动硅基光电子材料及器件、大功率激光器国产化开发。

　　（3）新型存储器领域开展先进DRAM技术研发，推进17nm/15纳米DRAM研发与量产，突破10纳米DRAM部分关键技术。

　　（1）以设计为龙头，以装备为依托，以通用芯片、特色芯片制造为基础，打造集成电路产业链创新生态系统。

　　（2）开发IP库和工具软件，建设集成电路装备工艺验证与技术创新平台，建成中关村集成电路设计园二期、中国移动国际信息港、北京经济技术开发区集成电路装备产业基地二期和国家信创园。

　　（3）支持先进工艺、制造材料、EDA、碳基集成电路等一批突破性项目，实施集成电路制造业新生产力布局项目和集成电路装备产业基地项目，支持8英寸晶圆产线英寸MEMS高端产线落地，夯实“研发线+量产线）支持创新企业共同组建光刻机研发中心，积极发展7/5/3纳米刻蚀设备、薄膜设备、离子注入机等高端装备，支持光刻机中光学镜头、光源及工件台等自主可控项目建设。

　　（5）鼓励企业开展AI芯片、高端传感器等人工智能细分领域应用，建设国家高端仪器和传感器产业基地。

　　2021年7月发布的《十四五时期北京经济技术开发区发展建设和二〇三五年远景目标规划》指出，“十四五”期间，北京经开区在产业链创新链上将进一步发力，以“白菜心”工程等重大攻坚项目为抓手，继续强化集成电路制造和装备环节优势，确立北京经开区在全国集成电路全产业链发展的领导地位。

　　《目标规划》指出，引领集成电路自主可控发展。（1）以自主可控为导向，率先组织开展集成电路产学研用一体化突破，推动芯片设计、先进制造、关键设备、零部件、核心材料、先进封测等集成电路全产业链发展

　　（2）重点布局图像传感器、超高清显示、存储、车规、国产CPU、IGBT等芯片设计细分领域。强化制造领域引领地位，加快中芯国际产能提升，支持存储器芯片快速量产。

　　（3提升关键设备核心竞争力，实现刻蚀、薄膜、离子注入等关键装备全布局，形成区域集中、协同发展的集群效应。

　　（4）联合攻关金属部件、硅基及陶瓷等非金属部件、电子部件的供应安全问题，重点关注光刻机核心部件，支持光学镜头、激光光源、工件台及计算光刻软件等规模化应用，探索光刻机整机测试平台建设。

　　（6）加速先进封装工艺和测试能力落地，满足国产CPU、显示驱动和5G射频产品封测需求，补齐区域短板。

　　2021年6月发布的《上海市战略性新兴产业和先导产业发展“十四五”规划》提出，以国家重大战略任务为牵引，强化创新平台体系建设、关键技术攻关和重大项目布局，持续提升产业能级和综合优势。“十四五”期间，集成电路产业规模年均增速达到20%左右，力争在制造领域有两家企业营收稳定进入世界前列，在设计、装备材料领域培育一批上市企业。到2025年，基本建成具有全球影响力的集成电路产业创新高地。先进制造工艺进一步提升，芯片设计能力国际领先，核心装备和关键材料国产化水平进一步提高，基本形成自主可控的产业体系。

　　重点发展：1、集成电路设计。提升5G通信、桌面CPU、人工智能、物联网、汽车电子等核心芯片研发能力，加快核心IP开发，推进FPGA、IGBT、MCU等关键器件研发。提升集成电路设计工具供给能力，培育全流程EDA平台，优化国产EDA产业发展生态环境。2、制造和封测。扩大集成电路成熟工艺产线产能，提高产品良率，提升先进工艺量产规模，继续加快先进工艺研发。提升特色工艺芯片研发和规模制造能力。进一步提升先进封装测试产业规模。3、装备和材料。加快研制具有国际一流水平的刻蚀机、清洗机、离子注入机、量测设备等高端产品。开展核心装备关键零部件研发。提升12英寸硅片、先进光刻胶研发和产业化能力。

　　《规划》提出发挥上海产业基础和资源禀赋优势，以集成电路、生物医药、人工智能三大先导产业为引领，大力发展电子信息、生命健康、汽车、高端装备、先进材料、时尚消费品六大重点产业，构建“3+6”新型产业体系，打造具有国际竞争力的高端产业集群。

　　（1）芯片设计，加快突破面向云计算、数据中心、新一代通信、智能网联汽车、人工智能、物联网等领域的高端处理器芯片、存储器芯片、微处理器芯片、图像处理器芯片、FPGA、5G核心芯片等，推动骨干企业芯片设计能力进入3纳米及以下，打造国家级EDA平台，支持新型指令集、关键核心IP等形成市场竞争力。（2）制造封测，加快先进工艺研发，支持12英寸先进工艺生产线建设和特色工艺产线建设，争取产能倍增，加快第三代化合物半导体发展；发展晶圆级封装、2.5D/3D封装、柔性基板封装、系统封装等先进封装技术。

　　（3）装备材料，加强装备材料创新发展，突破光刻设备、刻蚀设备、薄膜设备、离子注入设备、湿法设备、检测设备等集成电路前道核心工艺设备；提升12英寸硅片、高端掩膜板、光刻胶、湿化学品、电子特气等基础材料产能和技术水平，强化本地配套能力。

　　充分发挥张江实验室、国家集成电路创新中心等“1+4”创新体系的引领作用，加强前瞻性、颠覆性技术研发和布局，联合长三角开展产业链协作。加快建设上海集成电路设计产业园、东方芯港、电子化学品专区等特色产业园区载体，引进建设一批重大项目。到2025年，基本建成具备自主发展能力、具有全球影响力的集成电路创新高地。

　　《上海市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，重点发展集成电路产业。具体计划包括：

　　（1）增强集成电路产业自主创新能力。努力打造完备产业生态，加快建设张江实验室，加强前瞻性、颠覆性技术研发布局，构建上海集成电路研发中心等为主要支撑的创新平台体系。（2）围绕国家重大生产力布局，推动先进工艺、特色工艺产线等重大项目加快建设尽早达产，加快高端芯片设计、关键器件、核心装备材料、EDA设计工具等产业链关键环节攻关突破，加强长三角产业链协作，逐步形成综合性集成电路产业集群，带动全国集成电路产业加快发展。

　　（3）促进人工智能深度赋能实体经济，在智能芯片、智能软件、智能驾驶、智能机器人等领域，持续落地一批重大产业项目。

　　（6）培育壮大前沿产业集群和新兴业态。聚焦集成电路全产业链环节关键核心技术突破，建设国家级集成电路综合产业基地。

　　2021年7月发布的《中央国务院关于支持浦东新区高水平改革开放打造社会主义现代化建设引领区的意见》提出，打造集成电路世界级创新产业集群。

　　根据《意见》，浦东新区将实施集成电路强链育链补链提升工程，支持龙头企业对标国际领先水平，发展先进制造工艺技术，瞄准面广量大的全球市场需求，加快推进成熟工艺节点的产能建设，补齐产业链供应链短板，加快构建集设计、制造、封测、装备材料为一体的产业集聚区。

　　2021年8月26日，浦东新区发布的《浦东新区促进制造业高质量发展“十四五”规划》提出，着力提升电子元器件制造能级。聚焦集成电路制造，带动半导体分立器件制造、显示器件制造等电子器件制造，带动电子电子制造、敏感元件信传感器制造等电子元件及专用材料制造。

　　《规划》提出，打造具有全球竞争力的全链条产业体系，聚焦张江集成电路设计产业园、东方芯港（临港集成电路装备和材料产业园）建设，培育引进一批骨干企业，着力攻克一批关键核心技术，应用推广一批创新产品。

　　张江强化集成电路设计带动引领功能，临港强化集成电路装备材料自主可控能力，外高桥提升集成电路封测先进水平。做强集成电路覆盖设计、制造、封测和设备材料等产业链环节；强化在集成电路领域的光刻机、离子刻蚀机等装备的自主创新，聚焦关键领域核心环节，集聚靶点突破，运用科技创新实现技术和工艺突破，将产业链中一部分举足轻重的基础材料、基础技术、核心零部件实现本土化、产业化。

　　2021年3月3日，上海临港新片区发布的《中国（上海）自由贸易试验区临港新片区集成电路产业专项规划（2021-2025）》指出

　　到2025年，先进工艺、成熟工艺、特色工艺进入国际前列，EDA工具、光刻胶、大硅片等关键“卡脖子”技术产业化取得突破，2种以上关键装备进入全球领先制造企业采购体系。引进培育5家以上国内外领先的芯片制造企业；形成5家年收入超过20亿元的设备材料企业；培育10家以上的上市企业，围绕5G、CPU、人工智能、物联网、无人驾驶等细分领域发展壮大一批独角兽设计企业。芯片制造、装备材料主导地位进一步加强，芯片设计、封装测试形成规模化集聚。2020年12月18日发布的《临港新片区前沿产业发展“十四五”规划》指出，到2025年，初步形成国家级集成电路综合产业基地。打造“东方芯港”特色产业园区，形成具有国际影响力的核心产业集聚区。

　　“东方芯港”将围绕核心芯片、特色工艺、关键装备和基础材料等领域实现关键核心技术攻关，建设国家级集成电路综合性产业基地。在产业空间分布上，“东方芯港”将按照“10+X”布局，在前沿产业区规划10平方公里产业用地，作为新片区集成电路产业核心承载区；同时，规划“X”处集聚发展区域，比如，将国际创新协同区作为新片区集成电路研发创新集聚区，布局高端芯片设计、功能性平台、创新孵化器（加速器）等；将综合保税区作为新片区集成电路产业外向型发展的窗口，布局保税研发、保税制造、集成电路贸易流通、支持服务等。

　　2021年7月发布的《上海市张江科学城发展“十四五”规划》指出，加快集成电路关键核心技术突破。引进培育一批世界一流集成电路设计企业，着力提升高端芯片设计能力。支持芯片制造企业推动先进制程工艺芯片规模量产，大力发展下一代集成电路生产工艺和产品。支持集成电路材料、设备企业加大研发力度，提升生产制造能力。加快人工智能融合赋能应用，支持基础AI芯片研发，以类脑算法和类脑芯片为方向，加快感知识别、知识计算、认知推理、运动执行、智能无人系统等共性关键核心技术创新突破。推动人工智能与其他产业融合发展。

　　《规划》明确建设特色产业园，上海集成电路设计产业园，联动集成电路装备材料产业基地、中试产业区等平台载体，打造国家级全产业链的集成电路集群。

　　《天津市产业链高质量发展三年行动方案（2021—2023年）》提出，发挥集成电路设计领域优势，夯实集成电路制造、计算机零部件及外围设备制造等领域基础，重点推动新一代CPU、大规模集成电路晶圆生产线、先进封测生产线、化学机械抛光（CMP）设备、第三代半导体材料等项目建设，引进和研制图形处理器、存储器、第五代移动通信（5G）技术芯片、刻蚀机等高端项目和产品。到2023年，培育形成5至7家具有行业领先地位的龙头企业，引育若干关键核心企业，实现关键装备核心产品突破“卡脖子”，在国产CPU、移动通信、工业控制、信息安全等细分领域形成特色鲜明、优势突出的产业集群，培育良好产业生态，推动国产CPU、射频芯片自给率市场份额逐年提高。强调加快建设世界最大的8英寸芯片生产基地；2021年6月，天津市人民政府发布《天津市制造业高质量发展“十四五”规划》（津政办发〔2021〕23号）。

　　《规划》提出加快发展以人工智能产业为核心、以新一代信息技术产业为引领、以信创产业为主攻方向、以新型智能基础设施为关键支撑、各领域深度融合发展的新兴产业，加快建设“天津智港”。

　　《规划》提到，要发展新一代信息技术材料。扩大8-12英寸硅单晶抛光片和外延片产能，加快6英寸半绝缘砷化镓等研发生产。开发生产高精度、高稳定性、高功率光纤材料，提升光电功能晶体材料研究开发和产业化水平。推动氟化氩光刻胶、正性光刻胶材料绿色发展，改进光刻胶用光引发剂等高分子助剂材料性能，提升抛光液材料环保性。

　　《规划》强调要夯实产业基础能力。实施产业基础再造工程，着力推动核心基础零部件（元器件）、工业基础软件、关键基础材料、先进基础工艺等领域研发创新、重点突破，强化产业技术基础研究攻关，提升产品和技术竞争力，补齐产业链供应链短板。支持企业通过“揭榜挂帅”等方式承担重大攻关项目，加快解决共性基础问题，增强自主保障能力。积极承接一批国家级重点产业基础项目，引导产学研用联合开展关键核心技术和共性技术攻关，加快实现产业化突破。重点推动唯捷创芯5G终端高集成度射频模组、国芯可信计算系列系统级芯片（SOC）等核心基础零部件项目，实施中环领先材料集成电路硅片、金桥焊材高端焊接材料等关键基础材料项目，以及北特汽车轻量化铝合金精密成型自动化制造等先进基础工艺项目。

　　（1）强化芯片设计、高端服务器制造等优势，补齐芯片制造、封测、传感器、通信设备等薄弱或缺失环节，建成“芯片—整机终端”基础硬件产业链，实现全链发展。着力夯实制造业根基。增强制造业核心竞争力。实施产业基础再造工程，着力推动核心基础零部件和元器件、关键基础材料、先进基础工艺、工业基础软件、产业技术基础等领域研发创新、重点突破，全面提升工业基础能力。（2）提出要重点发展 CPU、5G、物联网、车联网等领域的处理器芯片设计，在系统级芯片（SoC）、图形处理器（GPU）、可编程逻辑门阵列（FPGA）等领域突破一批关键技术。做强芯片用8-12英寸半导体硅片制造，布局12英寸晶圆生产线项目。

　　目前天津市形成了滨海新区以IC设计为主导，西青区主攻芯片制造、封装测试，津南区聚焦高端设备、材料领域的分布格局。

　　重庆将聚焦“功率半导体芯片、存储芯片、模拟与数模混合芯片、人工智能和物联网芯片”四大重点方向，瞄准柔性显示、Micro-LED等前沿技术，补齐集成电路设计短板，持续做大晶圆制造规模，不断提升封装测试水平，鼓励面板产线技术升级，全力做好金融服务支撑，注重相关专业人才培养，高质量布局“2+N”半导体产业规划。2021年8月3日，重庆市人民政府发布《重庆市制造业高质量发展“十四五”规划（2021—2025年）》（渝府发〔2021〕18号）。

　　（1）依托重庆市电源管理芯片发展基础，以IDM（整合元件制造）为路径，加快后端功率器件发展，打造重庆市半导体产业核心竞争优势；（2）发挥重庆市数模/模数混合集成电路技术优势，积极培育物联网（工业互联网）芯片、激光器芯片、探测器芯片等专用芯片及相关器件；

　　（3）面向消费电子、汽车电子、5G（第五代移动通信）等领域现实需求，推进集成电路公共服务平台建设，培育引进一批集成电路设计龙头企业，探索设计成果本地化流片途径，丰富重庆市集成电路产品种类；

　　（4）加强WLP（晶圆级封装）、TSV（硅通孔）、FC（倒装）、MCP（多芯片封装）、3D（三维）等先进存储封装技术研发应用，满足多样化的封装需求。加强宽禁带半导体材料技术研发和在半导体产品中应用，抢占未来竞争高地。

　　（5）先进传感器及智能仪器仪表：智能化CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器、温度传感器、湿度传感器、压力传感器、惯性传感器、重力感应传感器、指纹识别传感器、二维/三维视觉传感器、力矩传感器、碰撞传感器等先进传感器产品。

　　（1）功率器件，微机电系统（MEMS）传感器，模拟/数模混合芯片，存储芯片，人工智能芯片，硅基光电芯片等半导体。（2）有源矩阵有机发光二极管（AMOLED）、微型发光二极管（MicroLED）等面板及下游，激光显示、激光电视，超高清视频等新型显示产品及内容，智能可穿戴设备，智能家居，服务机器人，智能视觉终端等新型智能终端。

　　（6）加快先进基础材料开发，突破关键战略材料技术。重点发展功能改性高分子材料等先进基础材料、化合物半导体材料。

　　（1）补齐集成电路设计短板。加快建设集成电路公共服务平台，完善EDA工具、IP库、检测等公共服务功能。引进培育一批集成电路设计龙头企业，打造集成电路设计产业集聚区。（2）做大晶圆制造规模。引进、合资合作建设一批大尺寸、窄线宽先进工艺晶圆制造重大项目，加快建设晶圆制造类重大项目。

　　（3）提升封装测试发展水平。发展高密度、高可靠性先进封装工艺，推进SK海力士、华润封测等项目加快建设和产能爬坡，进一步壮大封装测试产业规模。

　　（4）重点补强专用设备链条。以川渝联合建设世界级电子信息和装备制造产业集群为契机，重点发展设备产业。重点聚焦发展潜力巨大、国产替代容易、技术门槛较低的特种检测设备领域。

　　西永微电园从集成电路全产业链出发，构建从EDA平台、共享IP库、芯片设计、制造到封装测试的集成电路全新产业链。目前占重庆市集成电路产值的70%以上。

　　构建“一核一弧”的半导体产业空间分布格局。1、核心布局。合肥市要发挥现有产业基础优势，以重大项目为引领，积极推进面板驱动芯片、家电核心芯片、汽车电子芯片模块国产化，打造集成电路设计、制造、封装测试、装备和材料全产业链，完善产业配套，辐射带动全省半导体产业发展。

　　2、弧形布局。蚌埠市要把握军民融合大趋势，拓展微机电系统（MEMS）等产品的研发与制造空间，推进在工业、汽车电子、通信电子、消费电子等领域的应用。

　　要依托区位优势，重点发展半导体封装测试产业和半导体材料产业。芜湖市要以化合物半导体为突破口，积极推进在汽车、家电等领域的应用。铜陵市要利用引线框架、封装测试设备的研发与制造基础，探索发展高纯金属靶材、键合金属丝（铜丝为主），积极创建半导体设备研发中心及国家半导体设备研发生产基地。池州市要持续推动半导体分立器件的制造、封装测试等，实现产值突破，形成产业规模。省内其他城市要结合产业基础，支持配套产业发展，拓展应用领域，逐渐融入“一核一弧”半导体产业链条。《安徽省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》指出，在集成电路方面，重点开展先进工艺芯片制造技术、新型集成电路芯片、光通信芯片和高端芯片设计技术、集成电路核心设备、新型 MEMS 器件、EDA 软件等研发，开展系统级封装平台建设。

　　《规划纲要》提出战略性新兴产业集群建设工程，做大做强长鑫、晶合等龙头企业，迅速提升集成电路制造规模和能级，积极参与国家集成电路制造业创新中心等平台建设，打造高效协同的集成电路产业集群。

　　稳步壮大集成电路产业。1、全力推进长鑫芯片生产线建设。以显示驱动、智能家电、汽车电子、功率集成电路、存储器等芯片为切入点，通过应用牵引搭建产业合作平台、公共服务平台，瞄准先进工艺，积极联合行业领军企业建设高水平集成电路芯片生产线和先进封装测试生产线、积极培育芯片设计企业。招引培育优秀芯片设计企业，发挥好集成电路产业发展基金引导作用，助力芯片设计企业快速发展。依托芯片设计龙头企业开展显示驱动、汽车电子、数字家庭、移动互联网、物联网、云计算等领域的芯片设计和系统解决方案研究。3、发展新型功率器件和分立器件。鼓励发展基于氮化镓的高温大功率电子器件和高频微波器件，基于砷化镓的光电器件和微波器件等新型功率器件，鼓励企业研发集成、逻辑、控制、检测和保护电路的新型智能功率器件，发展面向工业和汽车的新型功率模块相关产品。

　　4、提升材料和设备供给能力。引进具备条件的单位开展集成电路关键设备、材料的研发和产业化，支持国产装备、材料在集成电路生产线上的应用。

　　。集成电路：聚焦芯片设计、芯片制造、封装测试、设备和材料等领域，加大动态存储、显示驱动、GPU、MCU、DSP、FPGA、CMOS、可控硅、分立器件、化合物半导体、IP核、EDA等技术研发，重点加快长鑫12英寸存储器晶圆制造基地建设，推动晶合12英寸晶圆制造基地二期、沛顿集成电路先进封测和模组生产、第三代功率半导体产业园等项目建设，促进海峡两岸（合肥）集成电路产业合作试验区建设，打造中国IC之都。

　　合肥市将加快国产集成电路的技术创新步伐，进一步完善“合肥芯”“合肥产”“合肥用”全链条，全面提升国家集成电路战新产业集群能级。目前，在产业布局上，合肥市已形成了经开区、高新区、新站高新区三大集成电路产业基地，拥有集成电路企业近300家，聚集从业人员超过2万人，初步完成了产业布局，成为国内集成电路产业发展最快、成效最显著的城市之一，被国家发改委、工信部列为集成电路产业全国重点发展城市，获批了全国首个“海峡两岸集成电路产业合作试验区”和国家首批集成电路战略性新兴产业集群。

　　发展壮大半导体产业。坚持把半导体产业作为全市战略性新兴产业的首位产业，推动半导体产业向5G、IC设计、大数据和云计算、人工智能等融合领域延伸，提升省级半导体产业基地能级，打造全国有特色的分立器件产业基地和设计、封测产业基地。到2025年，引进培育20家以上集成电路设计企业、50家封装测试企业、5家晶圆制造企业，以半导体为核心的新一代信息技术产业产值突破300亿元。

　　《规划纲要》提出“建芯”工程和“固器”工程。“建芯”工程。按照“抓两头(设计、封装测试)、促中间(制造)”的发展思路，壮大芯片设计，做强封装测试，突破晶圆制造和材料。开展应用领域专用芯片以及5G、传感器、图像处理、数字信号处理等高端芯片研发。大幅提升封装测试水平，加快先进封装和测试技术的开发及产业化。聚焦特色芯片制造，加强化合物半导体生产线的布局和建设。促进半导体清洗、修复等配套产业协同发展。

　　“固器”工程。巩固GPP分立器件优势，抢抓新型基础设施建设契机，聚焦电源控制芯片市场，大力发展新一代半导体分立器件，加快发展关键电子材料。到2025年，打造2-3家产值超5亿元的分立器件IDM (设计+制造+封装)龙头企业及20家配套企业，形成功率半导体器件-模块-芯片的全链条设计生产能力。

　　集成电路设计。重点开发以应用为导向的定制化芯片，大力发展面板显示及触控驱动芯片、汽车电子芯片、家电芯片、MEMS传感器、高端电力电子功率器件等专用芯片设计，引导芯片设计企业与整机制造企业协同开发，推进产业化。

　　封装测试。重点发展芯片级封装（CSP）、晶圆级封装（WLP）、系统级封装业务(SIP)、三维封装等新型封装，以及逻辑芯片检测、射频芯片测试、存储芯片测试、系统级测试、芯片可靠性测试等检测重点领域。晶圆制造。围绕新能源汽车、5G通信等重点领域，布局GaAs、GaN、SiC等化合物晶圆生产线，满足高功率、高频率、高效率等特殊应用需求。

　　关键电子材料和专用配套设备。引入发展高精度电子铜箔，大力发展导电膜玻璃、引线框架、电子化学试剂、封装自动化设备、自动分选机等关键电子材料和专用设备研发及产业化项目。

　　微电子领域关键核心技术攻坚行动，包括：第三代半导体需要的高纯度低缺陷碳化硅和氮化镓外延片，超高频、大功率高端器件研发。高频率太赫兹设备、量子通信设备研发与应用示范等。5G新产品研发与应用示范。

　　重点建设6吋GaAs微波集成电路制造线英寸SiC基GaN微波射频电路制造线，发展集成电路用硅片。突破高速高精度数模转换芯片技术，研发高速高精度通讯设备的测试仪器，发展微波集成电路设计与制造以及太赫兹测试技术、设备和成套解决方案，扩展太赫兹产品示范使用。

　　围绕半导体封装测试领域完善产业链，着力建设郑蒲港新区集成电路封装测试及相关配套产业集群（基地），打造华东地区具有影响力的半导体封装测试产业集群；并向IC设计、先进封测领域延伸产业链，打造长三角地区具有影响力的半导体产业集群。福建省（简称：闽）

　　在制造业主导产业重大工程电子信息产业中提出，集成电路以第三代半导体、存储器、专用芯片等制造为核心，带动设计、封测产业链上下游进一步协同，材料设备等配套产业进一步突破，打造东南沿海重要的集成电路产业基地。

　　。突出“增芯强屏”延链补链发展，重点发展特色专用芯片、柔性显示、LED、自主计算机整机制造及以5G为牵引的网络通信等领域，深入实施数字经济创新发展工程，加快数字产业化进程，培育壮大大数据、物联网、人工智能等新一代信息技术产业。

　　依州、厦门、泉州、莆田等重点区域，推进集成电路特色园区建设，加快形成“一带双核多园”的集聚发展格局。发挥联芯、士兰微、瑞芯微等重点企业作用，加快发展高端芯片，突破28纳米以下先进制程工艺，推动MEMS传感器生产线建成投产。推动三安化合物半导体、士兰微化合物半导体等项目建设，提升高速芯片、高功率芯片、5G射频芯片和5G功放芯片等制造工艺水平。研发并产业化内存封装、系统级封装、晶圆级封装等先进封测技术，提升通富、渠梁等企业的生产能力和技术水平。发展特色集成电路设计业，重点开展智能物联等新一代信息技术应用芯片研发，推进集成电路企业和研发机构移植使用国产软件工具，引导芯片设计与应用结合，着力提升消费电子领域芯片设计竞争力。增强集成电路材料和装备本地配套及服务能力，支持大尺寸硅片、光刻胶、高纯化学试剂、电子气体、化合物半导体材料、溅射靶材以及沉积设备、刻蚀设备、半导体检测设备等研发和产业化。支持建设两岸集成电路测试省级公共服务平台，深化闽台集成电路技术研发、人才培养等领域合作。《规划》中还指出了福建重点关键技术路径突破工程，在这一工程里，特别提到了集成电路领域。集成电路领域，福建将丰富知识产权IP核和设计工具，完善HBT和0.25微米PHEMT工艺；推动12英寸ID内存芯片生产与技术革新，推动先进制造和特色制造工艺发展，加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造；提升封装测试产业发展水平。

　　促进新型基础设施相关产业链集聚发展，支持5G、人工智能和物联网等领域核心芯片、中高频器件、智能传感器的研发、产业化和集成应用，推动形成全产业链生态。

　　，以集成电路产业支撑的信息技术产业和相关产业规模超4500亿元，成为我国集成电路产业发展的重点集聚地区之一，形成具有国内龙头地位的化合物半导体研发、产业化基地，构建较为完整的产业链，在部分领域占有国际半导体产业版图中的一席之地。

　　2021年8月16日，厦门市工信局印发《厦门市“十四五”先进制造业发展专项规划》。《专项规划》提出，在生物医药与健康、集成电路、新材料等领域突破关键核心技术，培育形成一大批以国产替代、自主可控为核心的创新型企业，企业自主创新能力跻身全国前列。半导体与集成电路方面：紧盯国家战略方向及国内外市场缺口，以强化区域协同为主线，以突破基础核心领域为目标，强化关键共性技术供给、装备研发，打造东南沿海集成电路产业核心区。一是促进产品往高端应用场景延伸。推动LED企业向智慧照明、健康照明、农业照明及医疗照明等应用场景发展；推动芯片设计企业向高性能计算机、新型显示等领域延伸；支持发展面向5G、云计算、物联网、人工智能等新基建及智慧城市场景的电子元器件；鼓励发展应用于新能源动力汽车、可穿戴智能装备等未来热点应用场景的集成电路产品。二是全力突破关键技术环节。重点发展半导体和集成电路制造所需的基础材料及相关制备工艺。三是加快区域资源整合。依托厦门集成电路设计公共服务平台、厦门大学国家集成电路产教融合创新平台等科研平台，建立健全产教融合、产学合作体系；深化厦台合作，以重点项目为抓手，加强厦门两岸集成电路自贸区产业基地建设，加快集成电路关键领域取得突破。

　　半导体与集成电路重点发展领域：半导体：发展第三代化合物半导体，刻蚀机、离子注入机、多线切割机、自动封装系统 、全自动晶圆检测机。

　　集成电路：发展云计算服务器芯片、新型平板显示 OLED、MICRO-LED芯片、新能源动力汽车芯片、5G电子元器件 芯片、压力传感器、加速度传感器、微电机陀螺仪、惯性你真棒一器、MEMS硅麦克风芯片，光刻机、刻蚀机、离子注入机、量测设备。

　　提出打造“泉州芯谷”。泉州芯谷主要涵盖晋江集成电路产业园区（构建集成电路全产业链）、南安高新技术产业园区（化合物半导体专业园区）、安溪湖头光电产业园区（LED全产业基地），以存储器制造和化合物半导体制造为支柱，吸引设计、封装测试、制造设备、关键原材料等上下游产业链配套企业落户泉州，推动全产业链集聚。

　　提出，晋江集成电路产业将形成以制造为主，封装测试、设计为辅，装备材料和应用终端为配套的集成电路全产业链发展格局。

　　发展集成电路行业，重点延伸发展氮化镓、碳化硅等集成电路特色工艺，推动8英寸硅基芯片制造和封测项目建设，加快滤波器、射频芯片、图像传感器芯片、嵌入式CPU内核、3D图像模块等产业化进程，发展集成电路装备、设计、封装和测试等产业链。推动莆台合作半导体产业项目建设，打造两岸集成电路产业合作示范区。

　　提升新型功率器件和集成电路封测能力，延伸发展配套产品，打造西部集成电路封测产业基地。加快智能终端产品、电子材料与元器件 、电器制造业发展，培育形西部重要的电子信息产业集群。

　　重点发展的新兴产业，发展以氮化镓为代表的第三代半导体材料制造，依托甘肃省有机半导体材料及应用技术工程中心，推动新型半导体材料与器件关键技术研发和成果转化。

　　围绕“强龙头、补链条、聚集群”，坚持“因企施策、一企一策”，以培育优势产业、骨干企业、品牌产品为重点，加速新一代信息技术与制造业深度融合，发展先进适用技术，实现延链补链强链，推动电子信息等传统优势产业做大做强。

　　依托华天、华洋、六九一三、天光、庆华电子等企业，引进上下游配套产业链，打造电子信息产业基地，重点发展集成电路芯片设计制造、高端引线框架、新一代半导体材料、高端封装测试、敏感元器件系列产品，打造总产值超过200亿元的电子信息产业集群。

　　打造我国集成电路产业发展第三极，建成具有国际影响力的半导体及集成电路产业聚集区。其中集成电路设计业业务收入超2000亿元，设计行业的骨干企业研发投入强度超过20%，全行业研发投入强度超过5%，集成电路制造业业务收入超1000亿元，建成较大规模特色工艺制程生产线，先进封测比例显著提升。

　　要重点发展新一代信息技术。着力突破核心电子元器件、高端通用芯片，提升高端电子元器件的制造工艺技术水平和可靠性，布局关键核心电子材料和电子信息制造装备研制项目，支持发展晶圆制造装备、芯片/件封装装备3C自动化、智能化产线装备等。以广州、深圳、珠海为核心,打造涵盖设计、制造、封测等环节的半导体及集成电路全产业链。支持广州开展“芯火”双创基地建设,建设制造业创新中心。支持深圳、汕头、梅州、肇庆、潮州建设新型电子元器件产业集聚区，推进粤港澳大湾区集成电路公共技术研究中心建设。推动粤东粤西粤北地区主动承接珠三角地区产业转移，发展半导体元器件配套产业。

　　要软件与信息服务。要重点突破CAD（计算机辅助设计）、CAM（计算机辅助制造）、CAE（计算机辅助工程）、EDA（电子设计自动化）等工业软件。

　　对集成电路等十大战略性新兴产业进行前瞻性布局。有关半导体及集成电路的整体布局：推进集成电路EDA底层工具软件国产化，支持开展EDA云上架构、应用AI技术、TCAD、封装EDA工具等研发。扩大集成电路设计优势，突破边缘计算芯片、储存芯片、处理器等高端通用芯片设计，支持射频、传感器、基带、交换、光通信、显示驱动、RISC-V等专用芯片开发设计，前瞻布局化合物半导体、毫米波芯片、太赫兹芯片等专用芯片设计。布局建设较大规模特色工艺制程和先进工艺制程生产线，重点推进模拟及数模混合芯片生产制造，加快FD-SOI核心技术攻关,支持氮化镓、碳化硅等化合物半导体器件和模块的研发制造。支持先进封装测试技术研发及产业化，重点突破氟聚酰亚胺、光刻胶等关键原材料以及高性能电子电路基材、高端电子元器件,发展光刻机、缺陷检测设备、激光加工设备等整机设备以及精密陶瓷零部件、射频电源等设备关键零部件研制。

　　1、芯片设计及底层工具软件。以广州、深圳、珠海、江门等市为核心,建设具有全球竞争力的芯片设计和软件开发聚集区。广州重点发展智能传感器、射频滤波器、第三代半导体,建设综合性集成电路产业聚集区。深圳集中突破CPU/GPU/FPGA等高端通用芯片设计、人工智能专用芯片设计、高端电源管理芯片设计。珠海聚焦办公打印、电网、工业等行业安全领域提升芯片设计技术水平。江门重点推进工业数字光场芯片、硅基液晶芯片、光电耦合器芯片等研发制造。

　　2、芯片制造。依托广州、深圳、珠海做大做强特色工艺制造，广州以硅基特色工艺晶圆代工线英寸集成电路制造生产线纳米及以下先进制造工艺和射频、功率、传感器、显示驱动等高端特色工艺，推动现有生产线产能和技术水平提升。珠海重点建设第三代半导体生产线英寸硅基氮化镓晶圆线及电子元器件等扩产建设。佛山依托季华实验室推动建设12英寸全国产半导体装备芯片试验验证生产线、芯片封装测试。以广州、深圳、东莞为依托，做大做强半导体与集成电路封装测试。广州发展器件级、晶圆级MEMS封装和系统级测试技术，鼓励封装测试企业向产业链的设计环节延伸。深圳集中优势力量,增强封测、设备和材料环节配套能力。东莞重点发展先进封测平台及工艺。

　　4、化合物半导体。依托广州、深圳、珠海、东莞、江门等市大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等第三代半导体材料制造，支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、磷化铟等化合物半导体器件和模块的研发制造，培育壮大化合物半导体IDM企业，支持建设射频、传感器、电力电子等器件生产线，推动化合物半导体产品的推广应用。

　　5、材料与关键元器件。依托广州、深圳、珠海、东莞等市加快氟聚酰亚胺、光刻胶、高纯度化学试剂、电子气体、碳基、高密度封装基板等材料研发生产，大力支持纳米级陶瓷粉体、微波陶瓷粉体、功能性金属粉体、贱金属浆料等元器件关键材料的研发及产业化。依托广州、深圳、汕头、佛山、梅州、肇庆、潮州、东莞、河源、清远等市大力建设新型电子元器件产业集聚区，推动电子元器件企业与整机厂联合开展核心技术攻关，建设高端片式电容器、电感器、电阻器等元器件以及高端印制电路板生产线，提升国产化水平。

　　6、特种装备及零部件配套。依托珠三角地区,加快半导体集成电路装备生产制造。支持深圳加大集成电路用的刻蚀设备、离子注入设备、沉积设备、检测设备以及可靠性和鲁棒性校验平台等高端设备研发和产业化。支持广州发展涂布机、电浆蚀刻、热加工、晶片沉积、清洗系统、划片机、芯片互连缝合机、芯片先进封装线、上芯机等装备制造业。支持佛山、惠州、东莞、中山、江门、汕尾、肇庆、河源等市依据各自产业基础，积极培育特种装备及零部件领域龙头企业及“隐形冠军”企业，形成与广深珠联动发展格局。

　　争取纳入国家集成电路重大生产力布局规划，建设国内先进的晶圆生产线，引进一批、培育一批、壮大一批集成电路设计、封装、测试、分析以及深耕智能传感器系统方案的企业，争取打造出千亿级的集成电路产业集群，建成全国集成电路产业集聚区、人才汇聚地、创新示范区。

　　做精做深细分产业链，以特色配套新型显示电路生产制造为契机，积极布局集成电路研发设计与封装测试环节，吸引集成电路设计、制造与封装企业来增城发展。推动产业协同，以硬件制造为切入点，高起点规划建设信创产业园，推进CPU芯片、服务器、数据库、终端安全产品等企业集聚，大力引导应用软件及配套产业集聚。力争到2025年，新一代信息技术产值（营收）规模超1000亿元。深圳市

　　2019年5月15日发布的《深圳市进一步推动集成电路产业发展行动计划（2019－2023年）》指出，

　　将建成具有国际竞争力的集成电路产业集群。设计业销售收入突破1600亿元，制造业及相关环节销售收入达到400亿元。引进和培育10家销售收入20亿元以上的骨干企业。

　　建设世界级新一代信息技术产业发展高地。强化集成电路设计能力，优化提升芯片制造生产线英寸晶圆代工生产线建设，积极布局先进制程集成电路制造项目，增强封测、设备和材料环节配套能力，前瞻布局化合物半导体产业，高水平建设若干专业集成电路产业园区。《规划纲要》列示集成电路攻关重点领域：重点围绕芯片架构等开展技术攻关，发展绝缘栅双极型晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺，发展碳化硅等化合物半导体。

　　初步建成高端引领、协同发展、特色突出的具有国际竞争力的集成电路产业集群。（1）壮大芯片设计产业规模。加强政策扶持与引导，支持珠海芯片设计规上企业加大研发投入，积极对接国家科技计划和重大项目，形成一批标志性自主创新成果。

　　（2）提升高端芯片设计水平。加强芯片设计能力塑造提升，在嵌入式SoC、高性能数模混合集成电路、新型显示专用芯片、智能计算芯片、新型存储器、工业金融电力等重点行业应用的SoC芯片、通信芯片、安全芯片等重点产品和技术上，形成差异化特色优势，骨干企业设计水平实现引领全球创新。（3）引进培育设计龙头企业。加大对集成电路设计企业的招商引资力度，引进和培育一批具有自主知识产权、具有行业影响力的集成电路设计龙头企业，支持EDA工具研发企业、IP设计及服务企业到珠海落户，带动珠海集成电路设计向高端发展。（4）重点建设12寸中试研发线、IC产业云服务平台、快速封装测试分析平台、集成电路设计服务中心、集成电路IP共享中心和工程服务中心，为集成电路企业提供中试研发、EDA、IP、设计、多项目晶圆（MPW）等领域的公共服务，提升珠海集成电路产业深度技术支撑能力。

　　（5）大力支持和引进IDM企业。探索发展虚拟IDM、共享IDM等新模式。推动珠海现有领军企业建设特色工艺生产线和中试研发线，确保市场潜力大、产业基础好、且涉及的关键特色工艺领域快速发展。

　　（6）通过建设EDA布局布线创新平台、先进半导体IP和定制量产平台，强化与各大foundry厂的合作。支持8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线增资扩产，迅速形成规模生产能力，打破阻碍珠海集成电路产业发展的瓶颈。

　　（7）加快提升封测等环节配套能力。积极对接国际国内封测技术领先企业，积极引进系统级封装、三维封装、面板级以及晶圆级封装等先进封装技术和团队在珠海产业化，逐步满足本地市场广泛需求。加大对本地第三方代工测试企业扶持和培育力度，做大做强集成电路企业自有封装厂，引导本地企业通过业务并购、增资扩产等方式实现快速扩张。

　　（8）加快关键装备和材料配套产业发展。加强集成电路关键设备、零部件及材料企业和创新团队的引资引智工作。大力引进包括刻蚀、清洗、离子注入、CMP、ATE等关键环节装备领域的龙头企业。面向硅晶圆、光刻胶、抛光液、溅射靶材、金属丝线、清洗液、中高端电子化学品等专用原材料领域培育和引进国内外龙头企业。发展非硅基材料、化合物半导体材料等新兴领域，发展高端封装基板、通信天线等高附加值的泛电子泛半导体产业，逐步完善珠海集成电路产业链布局。

　　形成一个两百亿级产业集群(芯片设计)、一个百亿集群(化合物半导体)，建成在珠三角乃至全国范围内都有较强影响力的集成电路产业聚集区。《

　　》提出三个方向，一是做大做强芯片设计，立足本地设计企业集聚、周边终端企业众多的基础，重点发挥优势，形成特色；二是做精化合物半导体，重点聚焦氮化镓、磷化铟、碳化硅等新材料、新器件、新工艺；

　　，重点对接国内封装测试和模组制造领域龙头企业，招引有建封装测试工厂需求的集成电路设计企业到高新区建厂。广西壮族自治区（简称：桂）《广西壮族自治区国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，培育壮大新一代信息技术；超前布局第三代半导体、人工智能等未来产业。

　　加快培育智能制造装备产业，培育发展芯片、减速机、传感器等核心零部件及控制系统制造业；加快创新技术服务平台建设，加快人工智能技术研发创新平台、智能语音开放创新平台、自动驾驶和智能机器人研发平台等建设，推进深度学习框架、智能芯片产品研发和应用，建设人工智能实验室；加快发展大数据电子信息产业，加快发展智能终端、集成电路、新型电子元件与电子材料等高端电子信息制造业。

　　打好关键核心技术攻坚战，瞄准新一代人工智能、量子信息、集成电路、生命健康、航空航天等前沿领域，实施一批发展急需的重大科技项目，积极参与国家战略性科学计划和科学工程；构筑现代产业体系新支柱，推进基础材料、关键芯片、高端元器件、生物识别等核心技术攻关，大力发展整机、终端产品，促进大数据、云计算、物联网、人工智能、区块链等技术集成创新和融合应用，做大做强行业领军企业，重点建设廊坊新型显示、石家庄光电与导航、辛集智能传感器等产业基地，形成具有全国影响力的优势产业集群。

　　2020年4月19日，河北省人民政府发布了《河北省数字经济发展规划（2020-2025年）》。《规划》提出，培育壮大半导体器件产业。大力发展第三代半导体材料及器件，支持碳化硅、氮化镓单晶及外延研发产业化，推进高端传感器、光机电集成微系统（MEMS）、光通信器件等产品研发及产业化，壮大功率器件及微波集成电路产业。推动第三代北斗导航高精度芯片、太赫兹芯片、卫星移动通信射频终端芯片研发及产业化。支持太赫兹高功率可控发射器、关键元器件研发及产业化，建设太赫兹产业基地。

　　《规划》提出，推进科技成果产业化。利用创新成果转化体制机制，激活中电科13所、54所、中船重工718所创新资源，推进第三代半导体材料、微电子机械系统（MEMS）、数字集群无线通信系统、卫星应用通信系统、先进复合材料、特种电子气体、制氢装备等重大科技成果产业化。

　　2021年4月23日，石家庄发布《关于新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展的实施意见》的通知。《实施意见》提出，培育集成电路上市企业3家以上，并形成以集成电路专用材料、集成电路设计、集成电路加工制作、集成电路封装测试为核心的较为完备的产业链。

　　培育集成电路基础材料优势提升工程：扩大氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、碳化硅（SiC）晶圆加工能力，提升4英寸/6英寸碳化硅外延、8-12英寸硅外延材料品质，加快6英寸碳化硅外延、氮化镓外延、12英寸硅外延以及高性能陶瓷封装材料量产化进程。培育专用集成电路设计与制造发展工程：提升微波集成电路、射频集成电路、超大规模SoC芯片、微机电系统（MEMS） 器件、光电模块、第三代北斗导航高精度芯片、射频识别 （RFID）芯片等设计水平，推进芯片设计与制造一体化发展；实施5G通信基站用射频前端套片及模块重点项目，建设特色集成电路生产线，推动射频前端芯片、滤波器芯片等实现产业化。支持开展功率半导体器件与功率集成芯片产品研发及产业化。

　　，推进数字产业化发展，推动智能传感器、射频卡、嵌入式芯片、传感网络设备等物联网产品升级和体系拓展，做优车联网、医疗物联网、家居物联网等产业，协同发展云服务与边缘计算服务，构建物联网全产业链。

　　《黑龙江省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，建设好一批质量高、拉动能力强的重大项目，其中包括万鑫石墨谷、第三代半导体材料碳化硅衬底材料及生产装备等项目。

　　2019年湖北发布《关于推进全省十大重点产业高质量发展的意见》。湖北省将依托国家存储器基地，重点发展存储芯片、光通信芯片和卫星导航芯片，努力形成以芯片设计为引领、芯片制造为核心、封装测试与材料为配套的较为完整的集成电路产业链。

　　《湖北省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，集中力量和资源推进国家存储器基地建设，加快实现技术赶超和规模提升，建成全国先进存储“产业航母”。加快发展物联网芯片、北斗芯片等，补齐封装测试短板，完善产业创新体系和发展生态，打造全球知名的集成电路产业基地；打好关键核心技术攻坚战，探索形成社会主义市场经济条件下新型举国体制湖北路径。实施关键核心技术攻关工程，围绕三维存储芯片、硅光芯片、新型显示材料、高端医学影像设备等重点领域，加强产业链上下游协同，推动“临门一脚”关键技术产业化，实现率先突破；打造具有国际竞争力的产业集群，推进集成电路、新型显示器件、下一代信息网络、生物医药等国家战略性新兴产业集群建设，着力培育具有国际竞争力的万亿级光电子信息、大健康产业集群。构建“光芯屏端网”纵向链合、横向协同的发展机制，突出“光”特色，做强“芯”核心，做大“屏”规模，强化“端”带动，优化“网”生态，发挥重大项目支撑引领作用，推动建立以武汉为核心，沿江城市分工协作的产业布局。

　　2021年7月，湖北发布《湖北省委、湖北省人民政府关于新时代推动湖北高质量发展加快建成中部地区崛起重要战略支点的实施意见》。《实施意见》提出，坚持战略性新兴产业引领，实施战略性新兴产业倍增计划，着力打造以“光芯屏端网”为重点的新一代信息技术和；培育壮大

　　、光通信及激光、新型显示、智能终端、信息网络、软件及信息服务、人工智能、电子信息材料、生物医药及医疗器械、数字创意等10个千亿级特色产业集群。

　　提出，武汉将依托国家存储器基地，重点发展存储芯片、光通信芯片和卫星导航芯片，形成以芯片设计为引领、芯片制造为核心、封装测试为配套的较为完整的集成电路产业链。

　　，围绕国家战略性新兴产业发展领域和方向，集中力量发展集成电路、新型显示器件、下一代信息网络、生物医药四大国家级战略性新兴产业集群。发展“光芯屏端网”新一代信息技术。聚焦光电子、硅光及第三代化合物半导体芯片、5G通信与人机交互、虚拟现实、智能终端、信息网络等，打造“光芯屏端网”万亿产业集群。到2025年，“光芯屏端网”产值5000亿元。湖南省（简称：湘）

　　2020年2月，湖南省发布的《湖南省数字经济发展规划（2020-2025年）》提出，形成以设计业为龙头、特色制造业为核心、装备及材料等配套产业为支撑的发展格局，成为全国功率器件中心、第三代半导体重要基地、集成电路设计和装备特色集聚区。

　　发展壮大电子信息制造业。抢抓信息技术应用创新发展重大机遇，放大特色优势，强化核心基础零部件（元器件）、先进基础工艺、关键基础材料和产业技术基础发展能力，加快打造成为享有盛誉的国家级产业集群。面向高端设计、特色工艺制造、先进封测、关键设备和材料等领域，推进集成电路产业发展。建设国家功率半导体制造业创新中心等创新平台，推动关键共性技术突破。着力突破关键核心技术。围绕集成电路等行业，重点突破宽禁带半导体、CPU、GPU、DSP、SSD等技术，发展面向通用芯片、专用芯片等领域的高端定制设计、研发、生产服务能力。

　　集成电路产业成长工程：提升集成电路设计业，力争在CPU、GPU、DSP、SSD、4K/8K、5G等高端芯片产业化上实现突破。

　　发展离子注入机等集成电路装备，研发光刻机、刻蚀机等关键设备技术，提升集成电路国产化装备和成套建设能力和水平。

　　推动IGBT、第三代半导体等重大项目，构建完善产品链，促进氮化镓和碳化硅器件制造技术开发，发展器件级、晶圆级封装和系统级测试技术，提升工艺技术水平，加快实现规模化生产能力。推进功率半导体器件创新中心等创新平台建设，探索行业共性关键技术联合攻关和产业化路径。

　　《湖南省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，推进半导体关键核心成套设备研发和产业化，加快6英寸碳化硅材料及芯片、中低压功率半导体等产业化发展，建成全国最大碳化硅全产业链生产基地，创建国家级半导体装备制造区域中心。株洲市

　　《株洲市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，大力发展大功率半导体器件产业链。重点发展硅基IGBT为主要特征的第三代半导体，推动IGBT器件在风电、太阳能发电、工业传动、通用高压变频器、电力市场等领域的应用。

　　《规划纲要》提出，关键核心技术攻关清单，IGBT大功率器件领域：重点突破硅基IGBT技术瓶颈，重点发展8英寸汽车级 IGBT 变频控制技术，推进SiC、GaN等宽禁带为主要特征的第三代半导体的研发；发展芯片制造设备、检验监测设备等关键设备，发展低压IGBT芯片、新能源车用IGBT模块等，发展精细沟槽栅IGBT和宽禁带SiC半导体芯片和器件，重点发展8英寸汽车级IGBT电控系统基础器件；发展芯片单晶硅材料、基板材料等基础材料。

　　《吉林省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，建设集成光电子学国家重点实验室：主要研究高速及特殊应用光电子集成器件、硅基光子学及光子器件集成、光电器件物理及微纳集成新工艺、微纳光电子与光电集成芯片、光电集成新材料和新器件等领域。

　　《规划纲要》提出，前沿领域科技攻关项目：极紫外光刻光学关键技术研究项目（研究极小像差反射式光学设计协同设计、精密光机结构、深亚纳米光学加工与检测以及极紫外多层膜技术，开展六镜极紫外光刻物镜研发与验证项目中元件面形检测研究）和高功率高光束质量激光芯片创新研究项目（完善高功率半导体激光器的材料－器件－系统－应用的全技术研究链条，突破高功率偏振稳定VCSEL芯片和高功率、小体积、高光束质量中红外激光技术等技术）。

　　《江苏省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，全面增强芯片、关键材料、核心部件、工业软件等中间品创新能力，带动内循环加快升级。聚焦重点产业集群和标志性产业链，瞄准高端装备制造、集成电路、生物医药、人工智能、移动通信、航空航天、软件、新材料、新能源等重点领域，组织实施关键核心技术攻关工程，力争形成一批具有自主知识产权的原创性标志性技术成果，加快改变关键核心技术受制于人的被动局面。

　　2020年4月，南京市发布的《南京市数字经济发展三年行动计划（2020—2022年）》指出，重点攻关第三代半导体材料、功率半导体以及国产EDA工具，高水平建设国家集成电路设计服务产业创新中心，重点发展面向工业互联网、人工智能、5G、汽车电子、物联网等领域高端芯片设计、晶圆制造、专用前沿材料及设备。

　　2019年发布的《南京市打造集成电路产业地标行动计划》提出，力争到2020年，南京全市拥有销售收入超100亿元的集成电路生产类龙头企业1-2家，产业人才整体规模达3万人以上，集成电路设计、制造、封测等关键环节核心技术达到国内领先水平，初步建成国内著名的千亿级集成电路产业基地。到2025年，集成电路产业综合销售收入力争达1500亿元，进入国内第一方阵，实现“全省第一、全国第三、全球有影响力”的产业地标。

　　1、突破“卡脖子”关键核心技术。大力发展安全可控的高端芯片设计，支持创建国家集成电路设计服务产业创新中心和国家集成电路设计自动化技术创新中心，高水平建设中国EDA（电子设计自动化）创新中心，加速国产EDA工具和知识产权核商业化进程。深耕智能汽车芯片、物联网芯片、人工智能芯片、信息通讯芯片、光电芯片等重点领域，围绕先进晶圆制造及封测、前沿材料研制、高端设备制造等关键环节，加快突破三维堆叠封装、晶圆级封装、第三代半导体材料、功率半导体等核心技术。2、构建具有根植性的产业生态网络。大力培育产业链“链主”企业，招引具有核心竞争力的骨干企业，打造具有地标特色的集成电路产业集群。强化集成电路设计、软件开发、系统集成、内容与服务协同创新，打造涵盖芯片、软件、整机、系统、信息服务的产业生态。突出“应用牵引”“芯机联动”，拓展集成电路创新产品市场化应用，构筑整机带动芯片技术进步、芯片支撑整机竞争力提升的生态闭环。放大产业带动效应，加大人工智能、新一代通信、汽车半导体、智能制造、卫星导航等领域专用集成电路开发力度，吸引带动上下游企业落户。

　　3、打造全链条式产业服务体系。深化南京集成电路产业服务中心建设，加快人才资源、开放创新、公共技术、产业促进等特色服务平台功能升级，完善EDA工具、测试与验证、多项目晶圆、材料和器件分析、知识产权核库等专业化公共服务平台体系，打造全国集成电路公共服务平台标杆。深化南京集成电路培训基地建设，完善产学融合、学学协同、学科交叉的集成电路产业人才培养机制。持续办好世界半导体大会、集成电路系列赛事等重大行业活动，推动重大活动品牌化、市场化、平台化发展。引导国内顶尖的专业咨询和研究机构在新区开展专业化服务。进一步完善集成电路产业支持政策体系。

　　第三代半导体领域以龙头企业中国电子科技集团第五十五研究所为引领，主要从事射频电子、功率电子两大板块产品的研发和生产；高端设计领域集聚了台积电设计服务中心、钜泉光电总部及MCU研发中心、航天龙梦总部及国产芯片研发中心等重点项目；在重点科研平台方面拥有毫米波及射频电子国家重点实验室、宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室、砷化镓微波毫米波单片集成电路和多芯片模块国家级重点实验室等。

　　巩固数字经济关键优势产业。提升集成电路产业能级。推动物联网、智能网联汽车、5G通信、高端功率器件等领域的芯片研发，做大做强设计主业，支持晶圆制造的扩产与技术改造，支持封装测试业优势企业整合增效、技术升级。

　　，提升集成电路全产业链发展水平，优化无锡国家“芯火”双创基地等载体平台，推动一批产业链重大项目建设，形成以新吴区制造设计、滨湖区设计、江阴市封装测试、宜兴市材料、锡山区装备等集成电路产业链分工协作体系。高标准建设江苏集成电路应用技术创新中心，着重开展设计、加工、制造、封装、测试分析、新材料开发等关键共性技术联合攻关，打造微纳加工与测试表征实验室。重点突破高端通用芯片和专用芯片、基础软件和工业软件、控制系统、核心材料等领域的“卡脖子”问题，积极开展6G技术预研，前瞻性部署石墨烯、区块链、量子技术、深海极地、星际网络、北斗、氢能及氢能源汽车、化合物半导体等未来前沿技术研发，支持企事业单位先行示范应用。

　　《无锡高新区（新吴区）现代产业“十四五”发展规划》指出，集成电路产业，无锡高新区将着眼提升集成电路全产业链发展水平，重点发展高端芯片设计、集成电路核心设备及关键零部件，支持发展芯片制造和封测业，高水平推进国家集成电路特色工艺及封装测试创新中心、无锡国家“芯火”双创基地等重大平台建设，加快打造世界级集成电路产业集群。

　　《发展规划》指出，第三代半导体产业，无锡高新区将以市场应用为牵引，面向以氮化镓、碳化硅等为代表的第三代半导体材料应用领域，贯穿产业研究、标准检测、新产品开发、晶圆生产、封装应用、衬底材料技术、装备制造等全产业链，促进技术研发应用，2025年产业规模突破50亿元。

　　攻关集成电路产业集群。依托江阴集成电路设计创新中心，持续深化与中科院微电子研究所合作，强化集成电路设计、软件开发、封装测试、系统集成的协同创新，加快核心芯片的设计、开发和产业化。依托长电科技、长电先进、星科金朋等龙头企业，打造全球领先的高端封装测试基地。聚焦先进材料和终端产品，纵深挖掘市场前景好、应用范围广的光刻胶、感光油墨等特色细分领域，全面融入长三角集成电路产业链条。

　　大力发展集成电路产业。推进锡宜集成电路产业协同，聚焦集成电路材料和装备，主攻集成电路硅片、电子气体、光刻胶及配套试剂、先进封装材料等领域，引进上下游配套企业，打造无锡集成电路产业重要基地。

　　预计到2025年，宜兴市集成电路材料产业将形成300亿规模相关产业。宜兴市集成电路材料产业发展将以集成电路硅片、化学机械抛光配套材料、高纯化学试剂、电子气体、光刻胶及配套试剂、掩膜版、化合物半导体材料及器件、先进封装材料为主。

　　半导体和集成电路产业链。发展集成电路设计、特色集成电路制造，高端集成电路封测，关键设备和材料。

　　发展车用芯片、安全芯片、网络芯片、高端数模芯片、硅光芯片等集成电路设计、化合物半导体、MEMS智能传感。2021年1月，苏州发布的《苏州市推进数字经济和数字化发展三年行动计划（2021—2023 年）》提出，集成电路产业要聚焦集成电路制造业，着力布局 GaN、GaAs、MEMS 等特色工艺制造产线，稳固封测领域领先优势，加快芯片设计和产业化，做优集成电路配套，补齐产业发展短板。针对5G产业，要围绕芯片、射频器件、光器件和光通信设备等优势产业发力，培育龙头企业，基本建立各细分领域相对完整的产业链集群。

　　2017年发布的《昆山市集成电路产业发展规划(2017-2021)》提出昆山要打造国内封装测试产业重镇、面向应用的集成电路设计产业新高地、长三角地区半导体设备研发中心，并建立二手半导体设备交易集散地，

　　做特集成电路与ICT产业集群。主攻集成电路材料装备、第三代半导体材料器件、先进封测等领域，形成“材料-装备-设计-制造-封测”产业链，建设徐州经开区、邳州经开区半导体材料与装备基地，打造全球领先的半导体大硅片制造基地和国内集成电路材料、装备产业高地。

　　坚持以推动集成电路产业链跃升发展为主题，以化合物半导体为主要切入口，大力建设集研发、设计、制造、应用全流程的集成电路产业链，围绕建链、补链、强链，加大龙头企业培育和重大项目招引力度，着力打造“滨湖高地 武进芯谷”。加强产业顶层设计，聚焦砷化镓等第二代化合物半导体以及碳化硅、氮化镓等第三代化合物半导体细分产业发展，优化产业发展环境，构建良好产业生态，加强基础设施配套，实现产业良性有序发展，力争用较短的时间搭建产业链框架，培育形成在全省乃至全国具有竞争力的化合物半导体特色优势产业链。建立完善产业配套。打造集设计、制造、封装于一体的地区产业链IDM模式，支持集成电路产业链上下游协同发力，鼓励集成电路产业和地区主导优势产业协同合作，实现本地化配套和本地化应用，形成多产业链相互促进的全产业链发展态势，实现超常规的跨越式发展模式。

　　《江西省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，加快推动数字产业化。作为数字产业化的核心，集成电路产业要立足前端材料、后端市场等基础，以移动智能终端、可穿戴设备、半导体照明等应用芯片研发设计为切入点，做实产用对接，培育设计、制造、封装、应用产业链，打造全国具有影响力的集成电路产业集群。

　　《推规划纲要》提出“集成电路产业培育工程”，以南昌、吉安、赣州等地为重点，加快打造集成电路产业集聚区。加大集成电路研发投入，精准引进集成电路先进工艺生产线及行业龙头企业，提升本地芯片设计、封测等能力。

　　2021年3月，南昌县（小蓝经开区）发布的《半导体及集成电路产业发展三年行动计划（2021-2023）》提出，将以封装测试快速切入、以化合物半导体形成突破、以器件模组生产带动增长、以设备、材料、设计作为补充。力争到2023年，南昌县（小蓝经开区）落户半导体企业达50家（其中上市公司5家），形成“封测业支撑、制造业提升、设计业补充、材料装备等配套产业基本健全”的完整半导体产业链，形成初具规模的产业集聚。

　　2020年10月，的《关于新时代支持赣南等原中央苏区新一轮产业高质量发展的若干措施》提出，做大做强电子信息产业，在京九（江西）电子信息产业带建设规划框架下，支持发展集成电路产业，培育引进特种芯片和半导体材料等企业。

　　近年来，赣州市大力发展电子信息产业，着力建设对接融入粤港澳大湾区重要的电子信息产业集聚地，聚焦新型电子材料、新型显示、芯片设计和封装测试、汽车电子产业链条，加速延链补链强链。

　　做大做强集成电路产业。推动集成电路全产业链发展，加快沈阳集成电路装备高新技术产业化基地、大连集成电路设计产业基地、朝阳半导体新材料研发生产基地、盘锦光电产业基地、锦州电子信息产业园等建设。做强集成电路装备及关键零部件等优势产业，提高集成电路特色材料配套能力。围绕嵌入式CPU、工业自动化、汽车电子等领域，强化集成电路设计、软件开发、系统集成、内容与服务协同创新。

　　《沈阳市国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》提出，强做优制造业，推进IC装备零部件产业基地、半导体薄膜设备产业化基地建设，

　　支持IC装备企业研发填补国内空白的产品，发展以涂胶显影、薄膜沉积设备为核心的IC整机装备。突破IC装备关键技术工艺，推动集成电路核心零部件表面处理效能提升,加快科技成果转移转化，加快推动真空干泵等一批重大研发和产业化项目建设。发挥IC装备产业联盟优势，广泛吸引上游零部件企业和研发机构落户。

　　开展集成电路控制系统、涂胶显影设备、3D NAND和DRAM存储器薄膜沉积设备等技术攻关。研制28nm集成电路前道单片式清洗设备和大行程连杆型真空机械手产品，突破苛刻工艺用DP系列真空干泵等关键技术和工艺，完善和发展“控制系统+重要整机装备+关键单元部件+先进材料”的IC产业创新链。关键核心技术：3D先进存储薄膜堆叠层关键技术、ALD High-k、Metal Gate等沉积工艺、集成电路10nm以下制程PE-ALD关键技术及设备研制、集成电路前道高产能深紫外光刻工艺匀胶显影设备关键技术、65nm光刻工艺匀胶显影设备研制、苛刻工艺用真空干泵关键技术攻关及产业化。